Tsmc, 2019 년 하반기에 5nm 생산 시작

인텔의 10nm 문제가 계속되는 동안 TSMC는 더 작은 노드로 계속 이동 하여 2019 년 하반기에 5nm 노드의 '위험 생산'을 시작할 계획을 확인했습니다.

TSMC는 내년 5nm에서 새로운 노드의 위험 생산을 시작합니다

또한 TSMC는 새로운 7nm 노드가 내년 총 매출의 20 %를 차지할 것으로 예상하며, TSMC가 7nm 노드를 제조 하는 데 앞장서고있는 최첨단 프로세스 노드에 대한 막대한 수요를 보여줍니다. GlobalFoundries는 생산을 중단 했습니다.

TSMC는 제조 공정에서 다중 레이어에 EUV 기술을 채택하는 7nm FinFET 'Plus'노드를 개발할 계획이며, 5nm FinFET은 더 중요한 레이어에이 기술을 사용하여 여러 패턴의 필요성을 줄입니다.. EUV 기술은 7nm 대량 생산이 시작된 후 어느 정도 나올 것입니다.

그들은 7nm에 비해 45 %의 면적 감소를 추정

이 변경으로 5nm는 7nm에 비해 상당한 양의 트랜지스터 스케일링을 제공 할 수있게되었으며, 초기 보고서 에서는 7nm FinFET에 비해 45 %의 면적 감소를 예측할 수있었습니다. 중요합니다.

상황에 따라 TSMC의 7nm FinFET 노드는 이미 16nm FinFET 노드보다 70 %의 면적 감소를 제공하여 5nm 노드를 매우 컴팩트하게 만듭니다. 5nm의 에너지 및 성능 향상은 7nm 미만입니다.

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