도시바, 셀당 최초의 4 비트 낸드 QLC 메모리 개발
차례:
NAND 메모리 제조 분야의 세계적 리더 중 하나 인 Toshiba 는 오늘 TLC가 제공하는 것보다 더 높은 스토리지 밀도를 가진 새로운 NAND QLC 메모리 기술을 합리적인 가격에 차세대 고용량 장치를 위해 발표했습니다.
도시바는 이미 세계 최초의 NAND QLC 메모리를 보유하고 있습니다
Toshiba의 새로운 BiCS FLASH 3D 메모리는 QLC 기술을 기반으로 셀당 총 4 비트 를 저장할 수있는 세계 최초의 3D 메모리가되었습니다. 이 새로운 칩은 768 기가비트의 용량을 제공하며, 이는 현재 TLC 메모리로 달성되는 512 기가비트보다 훨씬 높습니다.
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도시바의 새로운 QLC BiCS FLASH 메모리는 64 개 층으로 설계되어 768 기가비트의 다이 당 용량 을 달성 할 수 있으며 96 기가 바이트에 해당하며 1.5TB 이상의 용량 을 가진 장치를 사용할 수 있습니다 하나의 패키지에 16 개의 다이 스택에서. 이로 인해 도시바는 플래시 스토리지 밀도의 선두 기업이되었습니다.
도시바의 새로운 QLC 메모리의 첫 샘플 출하는 올 6 월에 시작되어 SSD 제조업체와 컨트롤러 가 가능한 빨리 시작될 수 있도록한다. 첫 번째 샘플은 8 월 7 일부터 10 일까지 산타 클라라에서 열리는 플래시 메모리 서밋 이벤트에서도 볼 수 있습니다.
우리는 QLC 메모리의 출시가 SSD 가격의 현저한 새로운 하락을 동반하는지 여부를 볼 것입니다. 스마트 폰 제조업체의 NAND 메모리 칩에 대한 높은 수요로 인해 몇 달 동안 상승이 멈추지 않았습니다.
출처: techpowerup
마이크론 5210 이온은 최초의 QLC 메모리 기반 SSD
Micron 5210 ION은 NAND QLC 메모리로 시장에 출시 된 최초의 SSD이며, 특히 96 층 칩이 거대한 스토리지 밀도로 사용되었습니다.
도시바 메모리 코퍼레이션, 96 레이어 낸드 빅스 QLC 칩 발표
플래시 기술을 기반으로 메모리 솔루션을 제조하는 세계 선두 업체 인 도시바 메모리 코퍼레이션 (Toshiba Memory Corporation)은 샘플 개발을 발표했다. 도시바는이 새로운 기술의 모든 세부 사항 인 96 층 NAND BiCS QLC 칩의 프로토 타입 샘플 개발을 발표했다. .
도시바 메모리 코퍼레이션, 새로운 96 레이어 3D 플래시 메모리 공장 오픈
Toshiba Memory Corporation과 Western Digital Corporation은 새로운 첨단 반도체 제조 시설의 개통을 축하하며 Toshiba Memory는 일본에 위치한 새로운 Fab 6을 통해 96 계층 3D 메모리 제조 용량을 늘리고 있습니다.