SK 하이닉스, 1znm 16GB (기가비트) DDR4 메모리 개발
차례:
SK 하이닉스 는 새로운 1Znm 16Gb (기가비트) DDR4 메모리를 개발했다고 발표했다. 1Znm은 기존 DDR4 DRAM 모듈에 사용 가능한 업계 최고 밀도 및 웨이퍼 당 총 용량을 제공합니다.
SK 하이닉스, 1Znm 16Gb DDR4 메모리 개발 (기가비트)
이 회사 는 새로운 1Znm 메모리 모듈의 생산성이 이전 세대 1Ynm 라인에 비해 약 27 % 향상되었다고 주장했다. 그러나 제조 공정에는 고가의 극 자외선 리튬 (EUV)이 필요하지 않으므로 1Znm 생산이 그 어느 때보 다 수익성이 높아집니다.
SK hynix 1Znm 메모리는 DDR4 인터페이스의 가장 빠른 데이터 처리 속도 인 최대 3200Mbps의 데이터 전송 속도를 지원합니다. 새로운 1Znm 메모리 모듈은 에너지 효율이 향상되어 이전 1YNnm 8Gb DRAM과 동일한 밀도의 모듈에 비해 전력 소비가 약 40 % 감소했습니다.
제조 공정에서 이전 세대에서 사용되지 않은 새로운 물질이 적용되어 1Znm 제품의 정전 용량을 최대화합니다. 캐패시턴스는 캐패시터가 저장할 수있는 전하량으로, DRAM 작동의 핵심 요소입니다. 작업 안정성을 높이기 위해 새로운 디자인도 프로세스에 도입되었습니다.
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