인텔, COS를 넘어선 미래의 미래를 여는 메소
차례:
우리는 칩 아키텍처의 물리적 한계에 점점 더 가까워지면서 제조업체가 이러한 한계를 극복하는 새로운 방법을 개발하는 것이 더욱 중요해졌습니다. 양자 컴퓨팅은 이러한 목표를 향한 한 걸음이며 인텔은 MESO 기술에서 다음 단계를 밟고 자 합니다.
MESO 기술은 CMOS 한계를 극복합니다
버클리에있는 캘리포니아 대학교와 로렌스 버클리 국립 연구소 (LBNL) 의 인텔 연구원은 Nature에서 "확장 가능한 에너지 효율적인 자기 전기 스핀 궤도 (MESO) 논리" 라는 제목의 기사를 발표했습니다. 여기에서 과학자들은 MESO 기반 소자가 CMOS (complementary metal oxide-semiconductor) 기술에 비해 전압을 400 % 줄일 수 있고 에너지 효율을 높일 수있는 가능성을 어떻게 설명하고 있는지 설명합니다. 초저 절전 상태 전력과 결합시 10-30 회.
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현재 인텔은 여전히 CMOS 스케일링 작업을하고 있지만 연구원들은 MESO 로직이 CMOS 이후 시대에 성장을 주도하고 있음을 알고 있습니다. 그들은 그들의 기술이 향후 10 년 안에 등장하기를 희망합니다. 인텔은 이미 UC 버클리와 LBNL에서 Ramamoorthy Ramesh가 개발 한 광 자기 재료를 사용하여 MESO 장치의 실험적인 프로토 타입을 개발했습니다. 이 기술은 실온에서 양자 재료를 사용하여 회전 궤도 변환 효과를 생성합니다.
MESO는 실온에서 양자 재료로 제작 된 장치로, 산업, 학계 및 국가 실험실에서 가능한 혁신의 원동력입니다. 새로운 유형의 컴퓨팅 장치 및 아키텍처를 가능하게하기 위해 아직 여러 가지 중요한 재료와 기술이 개발되지 않았습니다.
실험적인 프로토 타입은 유망한 결과를 보여 주지만, 기술은 초기 유아 단계에 있습니다. 훨씬 더 많은 연구가 필요하고 실용적인 장치는 여전히 적어도 10 년은 멀었습니다.
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