3D 낸드 QLC, 인텔, 1000 만 개의 솔리드 스테이트 드라이브 구축

차례:

지난 주 인텔의 메모리 및 스토리지 그룹은 중국 대련에 설치된 NAND 다이 QLC를 기반으로 천만 번째 QLC 3D NAND 솔리드 스테이트 드라이브 (SSD)를 생산했습니다.

2018 년 말부터 생산이 시작되었으며이 이정표는 QLC (Quad Level Cellular Memory)를 대용량 드라이브의 핵심 기술로 확립했습니다.

아래는 인텔에서 최근에 달성 한 3D NAND QLC 장치의 일부 성과를 요약 한 것입니다.

Intel QLC 3D NAND 는 Intel SSD 660p, Intel SSD 665p 및 Intel Optane Memory H10 스토리지 솔루션에 사용되며, Intel QLC 드라이브는 셀당 4 비트로 64 및 96 레이어 NAND 구성으로 데이터를 저장합니다. 지난 10 년간이 기술. 2016 년 인텔 엔지니어는 입증 된 FG (floating door) 기술의 방향을 수직으로 변경하고 완벽한 도어 구조로 감쌌습니다. 결과적인 3 셀룰러 레벨 (TLC) 기술은 384Gb / 다이를 저장할 수 있습니다. 2018 년에 3D QLC 플래시는 1, 024Gb / 다이를 저장할 수있는 셀당 4 비트의 64 개 레이어로 실현되었습니다. 2019 년 인텔은 96 개의 레이어로 이동하여 총 면적 밀도를 줄였습니다.

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QLC는 이제 고객 및 데이터 센터 제품을 모두 포함하는 인텔의 전체 스토리지 포트폴리오의 일부입니다.

인텔 은 특히 660p 및 665p 모델의 성공으로 인해 솔리드 스테이트 드라이브의 성능에 만족하는 것 같습니다.